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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
73
左右 -204% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
24
读取速度,GB/s
6.3
16.1
写入速度,GB/s
5.2
11.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3305
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
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