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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
73
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
31
读取速度,GB/s
6.3
20.8
写入速度,GB/s
5.2
16.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3878
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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