RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
73
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
36
读取速度,GB/s
6.3
14.8
写入速度,GB/s
5.2
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3422
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link