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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
73
左右 -204% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.8
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
24
读取速度,GB/s
6.3
21.1
写入速度,GB/s
5.2
19.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
4394
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
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