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AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
73
左右 -152% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
29
读取速度,GB/s
6.3
16.0
写入速度,GB/s
5.2
12.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3291
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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