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AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
73
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
36
读取速度,GB/s
6.3
14.3
写入速度,GB/s
5.2
8.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2332
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
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