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AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

总分
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AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

总分
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Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

AMD R5316G1609U2K 8GB 需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 73
    左右 -181% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.8 left arrow 6.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.9 left arrow 5.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    23400 left arrow 12800
    左右 1.83 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    73 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    6.3 left arrow 17.8
  • 写入速度，GB/s
    5.2 left arrow 14.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1309 left arrow 3617

AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较

Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
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内存RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
内存RAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
内存RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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AMD R744G2400U1S 4GB
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