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AMD R5316G1609U2K 8GB
Kllisre 0000 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Kllisre 0000 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Kllisre 0000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Kllisre 0000 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
49
73
左右 -49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.9
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kllisre 0000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
49
读取速度,GB/s
6.3
10.9
写入速度,GB/s
5.2
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2220
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Kllisre 0000 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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