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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
33
读取速度,GB/s
6.3
14.7
写入速度,GB/s
5.2
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2498
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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