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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
46
73
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
46
读取速度,GB/s
6.3
13.7
写入速度,GB/s
5.2
12.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2961
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
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