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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.3
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
33
读取速度,GB/s
6.3
10.3
写入速度,GB/s
5.2
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2235
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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