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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
94
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
6.3
5.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.2
4.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
94
读取速度,GB/s
6.3
5.6
写入速度,GB/s
5.2
4.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1334
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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