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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
73
左右 -217% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
23
读取速度,GB/s
6.3
17.0
写入速度,GB/s
5.2
13.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2936
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
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Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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