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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
73
左右 -128% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
32
读取速度,GB/s
6.3
14.1
写入速度,GB/s
5.2
9.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2434
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
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