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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
73
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
31
读取速度,GB/s
6.3
11.7
写入速度,GB/s
5.2
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1763
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
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