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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
33
读取速度,GB/s
6.3
11.0
写入速度,GB/s
5.2
8.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2200
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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