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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
6.3
14.8
写入速度,GB/s
5.2
9.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2340
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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