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AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
71
73
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
71
读取速度,GB/s
6.3
15.5
写入速度,GB/s
5.2
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1922
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
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