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AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
71
73
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
71
读取速度,GB/s
6.3
15.5
写入速度,GB/s
5.2
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1986
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
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