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AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
73
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
37
读取速度,GB/s
6.3
14.6
写入速度,GB/s
5.2
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2780
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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