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AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

总分
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AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

总分
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SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

差异 规格 评论

差异

AMD R5316G1609U2K 8GB 需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    73 left arrow 86
    左右 15% 更低的延时
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.5 left arrow 6.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    6.3 left arrow 5.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    73 left arrow 86
  • 读取速度，GB/s
    6.3 left arrow 13.5
  • 写入速度，GB/s
    5.2 left arrow 6.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1309 left arrow 1469

AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较

Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB RAM的比较

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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Kingston KHX2666C16/16G 16GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
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内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
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内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Kingston 9932291-002.A00G 4GB
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内存RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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