RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
73
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
63
读取速度,GB/s
6.3
16.1
写入速度,GB/s
5.2
9.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1932
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB RAM的比较
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link