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AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
6.3
18.2
写入速度,GB/s
5.2
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3143
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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