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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
14.7
18.6
写入速度,GB/s
9.2
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3220
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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