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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.0
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
14.7
14.5
写入速度,GB/s
9.2
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3192
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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