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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.6
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
14.7
18.6
写入速度,GB/s
9.2
15.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3550
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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