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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
14.7
17.0
写入速度,GB/s
9.2
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3230
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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