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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
44
读取速度,GB/s
14.7
15.8
写入速度,GB/s
9.2
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
2803
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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