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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 58% 更低的延时
需要考虑的原因
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
65
读取速度,GB/s
14.7
17.0
写入速度,GB/s
9.2
9.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
2058
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
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