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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
14.7
16.7
写入速度,GB/s
9.2
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3133
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
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Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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