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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
14.7
11.5
写入速度,GB/s
9.2
9.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
1881
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
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