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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
14.7
18.5
写入速度,GB/s
9.2
13.8
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3341
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
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