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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
47
读取速度,GB/s
14.7
10.0
写入速度,GB/s
9.2
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
2308
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
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