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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
14.2
17.5
写入速度,GB/s
10.0
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3434
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB RAM的比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
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