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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
14.2
18.3
写入速度,GB/s
10.0
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3736
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
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