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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.1
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
14.2
18.1
写入速度,GB/s
10.0
14.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3418
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
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