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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
37
读取速度,GB/s
14.2
14.8
写入速度,GB/s
10.0
11.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2814
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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