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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
42
读取速度,GB/s
14.2
14.7
写入速度,GB/s
10.0
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2476
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
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