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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
26
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
24
读取速度,GB/s
14.2
15.5
写入速度,GB/s
10.0
9.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2442
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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