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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
14.2
18.2
写入速度,GB/s
10.0
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3463
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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