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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
43
读取速度,GB/s
14.2
15.4
写入速度,GB/s
10.0
13.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2776
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
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