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AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs AMD R748G2133U2S-UO 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
15.4
15.0
写入速度,GB/s
9.2
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2600
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
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