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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
15.4
14.6
写入速度,GB/s
9.2
11.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3124
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
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Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
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