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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
15.4
11.4
写入速度,GB/s
9.2
12.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2804
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
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Kingston 9905700-046.A00G 16GB
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