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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
37
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
19
读取速度,GB/s
15.4
19.6
写入速度,GB/s
9.2
16.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3165
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
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