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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
61
左右 39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
61
读取速度,GB/s
15.4
17.9
写入速度,GB/s
9.2
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2136
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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