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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
15.4
17.8
写入速度,GB/s
9.2
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3458
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
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