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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
15.4
10.4
写入速度,GB/s
9.2
12.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2587
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
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