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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
15.4
17.0
写入速度,GB/s
9.2
12.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3142
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
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