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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
15.4
14.0
写入速度,GB/s
9.2
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2660
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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